MKY-DBC-013B晶閘管通態(tài)降壓測試儀 適用范圍及特點 主要參數(shù) ◇ 用于測試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅、可控硅模塊的通態(tài)峰值電流ITM和峰值壓降VTM ◇ 用于測試整流管的正向峰值電流IFM和峰值壓降VFM。 數(shù)字顯示測試結果,自動測試。 通態(tài)峰值電流值測試前可準確設定,并具有良好的測試重復性。 峰值電流測量范圍: 100-9000A 峰值壓降測量范圍: 0-7V
MKY-DBC-013AC晶閘管伏安特性測試儀 主要參數(shù) 峰值電流測量范圍: 30-3000A 峰值壓降測量范圍: 0-7V 外形尺寸: 440×440×150mm 2箱 整機重量: 35kg
MKY-DBC-023C晶閘管阻斷電壓測試儀 參數(shù): 正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測量范圍:0-8000V 正向斷態(tài)和反向阻斷電流測量范圍:0-199mA 保護電流設定:0-199mA 外形尺寸:600×600×1000mm 整機重量:80kg
MKY-DBC-023B晶閘管伏安特性測試儀 主要參數(shù) 正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測量范圍: MKY-DBC-023A 0-3000V MKY-DBC-023B 0-6000V 正向斷態(tài)和反向阻斷電流測量范圍: MKY-DBC-023A 0-99mA MKY-DBC-023B 0-199mA 保護電流設定: MKY-DBC-023A 0-99mA MKY-DBC-023B 0-199mA
MKY-DBC-023A晶閘管伏安特性測試儀 用于測試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管的如下參數(shù): ◇ 正向斷態(tài)電壓(VDRM); ◇ 反向阻斷電壓(VRRM); ◇ 正向斷態(tài)漏電流(IDRM); ◇ 反向阻斷漏電流(IRRM);
MKY-DBC-031晶閘管VGT IGT測試儀 主要參數(shù) 測量范圍: 觸發(fā)電流1-450mA; 觸發(fā)電壓0-7V; 維持電流1-450mA。 外形尺寸:440X440X150mm 整機重量:10kg
MKY-PC指針式高壓核相器高壓衰減桿是根據(jù)VDE0681.PART5的規(guī)范而設計的,具有判定相位和接觸式測量電壓的功能。測量的系統(tǒng)電壓Z高可達44kV。